أعلنت شركة Samsung يوم الثلاثاء عن إنتاج أصغر ذاكرة DDR5 DRAM بكميات كبيرة في.
الجديد 14 نانومتر EUV DDR5 DRAM هو 14 نانومتر فقط و يحتوي على خمس طبقات من تكنولوجيا الأشعة فوق البنفسجية الشديدة (EUV). يمكن أن تصل سرعاتها إلى 7.2 جيجابت في الثانية ، أي أكثر من ضعف سرعة DDR4. تدعي Samsung أيضًا أن تقنية EUV الجديدة الخاصة بها تمنح DDR5 DRAM أعلى كثافة بت ، مع زيادة الإنتاجية بنسبة 20٪ وتقليل استهلاك الطاقة بنسبة 20٪.
EUV يزداد أهمية مع استمرار تقلص حجم الذاكرة الحيوية. قالت سامسونج إنها تساعد في تحسين دقة الزخرفة ، وهو أمر ضروري لتحقيق أداء أعلى وعوائد أكبر.لم يكن التصغير الشديد لـ 14 نانومتر DDR5 DRAM ممكنًا قبل استخدام طريقة إنتاج فلوريد الأرجون التقليدية (ArF) ، وتأمل الشركة أن تساعد تقنيتها الجديدة في تلبية الحاجة إلى أداء وقدرة أكبر في مجالات مثل 5G والذكاء الاصطناعي.
للمضي قدمًا ، قالت Samsung إنها تريد إنشاء شريحة DRAM 24 جيجا بايت 14 نانومتر للمساعدة في تلبية متطلبات أنظمة تكنولوجيا المعلومات العالمية. كما تخطط لتوسيع محفظة DDR5 14 نانومتر لدعم مراكز البيانات وأجهزة الكمبيوتر العملاقة وتطبيقات خادم المؤسسة.
